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RM115N65T2

RM115N65T2

RM115N65T2

Rectron USA

MOSFET N-CH 65V 115A TO220-3

SOT-23

não conforme

RM115N65T2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 65 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 115A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) +20V, -12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5900 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 160W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

RQ1E100XNTR
RQ1E100XNTR
$0 $/pedaço
HUF76609D3ST
HUF76609D3ST
$0 $/pedaço
SI2333DS-T1-E3
SI2333DS-T1-E3
$0 $/pedaço
DMP2036UVT-7
NTLGF3501NT2G
NTLGF3501NT2G
$0 $/pedaço
PSMN6R7-40MSDX
SIHW73N60E-GE3
SIHW73N60E-GE3
$0 $/pedaço
IPA60R060C7XKSA1

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