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NTLGF3501NT2G

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NTLGF3501NT2G

onsemi

MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN

não conforme

NTLGF3501NT2G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.48900 -
192000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.8A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 90mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 275 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.14W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-DFN (3x3)
pacote / caixa 6-VDFN Exposed Pad
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Número da peça relacionada

PSMN6R7-40MSDX
SIHW73N60E-GE3
SIHW73N60E-GE3
$0 $/pedaço
IPA60R060C7XKSA1
HUFA76423D3ST
IPB010N06NATMA1
IRFS3306TRLPBF
RQ5L015SPTL
RQ5L015SPTL
$0 $/pedaço
2SK1421
2SK1421
$0 $/pedaço

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