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NVMFD6H852NLWFT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

não conforme

NVMFD6H852NLWFT1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.46000 $1.46
500 $1.4454 $722.7
1000 $1.4308 $1430.8
1500 $1.4162 $2124.3
2000 $1.4016 $2803.2
2500 $1.387 $3467.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Ta), 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 25.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 26µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 521 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.2W (Ta), 38W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

R6511END3TL1
R6511END3TL1
$0 $/pedaço
E3M0120090D
E3M0120090D
$0 $/pedaço
DMN65D8LQ-7
DMN65D8LQ-7
$0 $/pedaço
FQPF47P06
FQPF47P06
$0 $/pedaço
RM115N65T2
RM115N65T2
$0 $/pedaço
RQ1E100XNTR
RQ1E100XNTR
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HUF76609D3ST
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$0 $/pedaço
SI2333DS-T1-E3
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