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FQB50N06LTM

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

não conforme

FQB50N06LTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $0.70470 $563.76
1,600 $0.63997 -
2,400 $0.59951 -
5,600 $0.57119 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 52.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 21mOhm @ 26.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1630 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.75W (Ta), 121W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IPI076N15N5AKSA1
APT50M75JFLL
STD4N62K3
STD4N62K3
$0 $/pedaço
RM12N650T2
RM12N650T2
$0 $/pedaço
RQ6L035ATTCR
RQ6L035ATTCR
$0 $/pedaço
FQB5N60CTM
SISS63DN-T1-GE3

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