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FQB5N60CTM

FQB5N60CTM

FQB5N60CTM

4.5A, 600V, 2OHM, N CHANNEL , D2

compliant

FQB5N60CTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
1618 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 670 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 100W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263AB)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SISS63DN-T1-GE3
RQ6E035SPTR
RQ6E035SPTR
$0 $/pedaço
IXTX90N25L2
IXTX90N25L2
$0 $/pedaço
APT41M80L
APT41M80L
$0 $/pedaço
SIRA24DP-T1-GE3
RM8A5P60S8
RM8A5P60S8
$0 $/pedaço
FDD6690S

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