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SISS63DN-T1-GE3

SISS63DN-T1-GE3

SISS63DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK

compliant

SISS63DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.05000 $1.05
500 $1.0395 $519.75
1000 $1.029 $1029
1500 $1.0185 $1527.75
2000 $1.008 $2016
2500 $0.9975 $2493.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35.1A (Ta), 127.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 236 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7080 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 65.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

RQ6E035SPTR
RQ6E035SPTR
$0 $/pedaço
IXTX90N25L2
IXTX90N25L2
$0 $/pedaço
APT41M80L
APT41M80L
$0 $/pedaço
SIRA24DP-T1-GE3
RM8A5P60S8
RM8A5P60S8
$0 $/pedaço
FDD6690S
SISS27DN-T1-GE3

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