Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

SOT-23

não conforme

SISS27DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.36154 -
6,000 $0.33808 -
15,000 $0.32635 -
30,000 $0.31995 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5250 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

IXTH48P20P
IXTH48P20P
$0 $/pedaço
IXFP8N65X2
IXFP8N65X2
$0 $/pedaço
IXTP12N50PM
IXTP12N50PM
$0 $/pedaço
STP33N60DM2
STP33N60DM2
$0 $/pedaço
FCPF190N65S3R0L
FCPF190N65S3R0L
$0 $/pedaço
IPP65R600C6XKSA1

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.