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FDC642P-F085

FDC642P-F085

FDC642P-F085

onsemi

MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6

não conforme

FDC642P-F085 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.25558 -
6,000 $0.23909 -
15,000 $0.22260 -
30,000 $0.21106 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 640 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.2W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SuperSOT™-6
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

FQB13N10TM
FQB13N10TM
$0 $/pedaço
IRF6629TRPBF
IRF3709L
IRF3709L
$0 $/pedaço
IRF3709SPBF
STD4NK50ZD
STD4NK50ZD
$0 $/pedaço
BSP603S2LHUMA1
MCQ60P05-TP
MCQ60P05-TP
$0 $/pedaço
STP5NB40
STP5NB40
$0 $/pedaço

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