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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Obsolete |
tipo de feto | N-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 25 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 29A (Ta), 180A (Tc) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 4.5V, 10V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 2.1mOhm @ 29A, 10V |
vgs(th) (máx.) @ id | 2.35V @ 100µA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 51 nC @ 4.5 V |
vgs (máx.) | ±20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 4260 pF @ 13 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 2.8W (Ta), 100W (Tc) |
temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | DIRECTFET™ MX |
pacote / caixa | DirectFET™ Isometric MX |
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