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BUK653R2-55C,127

BUK653R2-55C,127

BUK653R2-55C,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB

não conforme

BUK653R2-55C,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.24000 $1.24
500 $1.2276 $613.8
1000 $1.2152 $1215.2
1500 $1.2028 $1804.2
2000 $1.1904 $2380.8
2500 $1.178 $2945
3726 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 258 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 15300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 306W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

STP14NM50N
STP14NM50N
$0 $/pedaço
IRL60HS118
SQP120N10-3M8_GE3
NTMTS4D3N15MC
NTMTS4D3N15MC
$0 $/pedaço
DN3525N8-G
DN3525N8-G
$0 $/pedaço
SIRC06DP-T1-GE3
FDA15N65

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