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PMV60ENEAR

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MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB

não conforme

PMV60ENEAR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.41000 $0.41
500 $0.4059 $202.95
1000 $0.4018 $401.8
1500 $0.3977 $596.55
2000 $0.3936 $787.2
2500 $0.3895 $973.75
7651 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 75mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 180 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 615mW (Ta), 7.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-236AB
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

MTB60N05HDLT4
MTB60N05HDLT4
$0 $/pedaço
IPD80R1K0CEATMA1
STF18N55M5
STF18N55M5
$0 $/pedaço
SIHG33N60EF-GE3
IRF840BPBF
IRF840BPBF
$0 $/pedaço
SI7155DP-T1-GE3
PMV100ENEAR
PMV100ENEAR
$0 $/pedaço
IPI04N03LA
IRL1404ZSPBF

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