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SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

não conforme

SIHG33N60EF-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $4.87350 $2436.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 98mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3454 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 278W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IRF840BPBF
IRF840BPBF
$0 $/pedaço
SI7155DP-T1-GE3
PMV100ENEAR
PMV100ENEAR
$0 $/pedaço
IPI04N03LA
IRL1404ZSPBF
STF12N65M2
STF12N65M2
$0 $/pedaço
IXFA56N30X3
IXFA56N30X3
$0 $/pedaço
SI2328DS-T1-BE3
SI2366DS-T1-GE3
EKI06075
EKI06075
$0 $/pedaço

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