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PMV100ENEAR

PMV100ENEAR

PMV100ENEAR

MOSFET N-CH 30V 3A TO236AB

compliant

PMV100ENEAR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.14868 -
6,000 $0.14076 -
15,000 $0.13284 -
30,000 $0.12334 -
75,000 $0.11938 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 72mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 160 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 460mW (Ta), 4.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-236AB
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

IPI04N03LA
IRL1404ZSPBF
STF12N65M2
STF12N65M2
$0 $/pedaço
IXFA56N30X3
IXFA56N30X3
$0 $/pedaço
SI2328DS-T1-BE3
SI2366DS-T1-GE3
EKI06075
EKI06075
$0 $/pedaço
SQJ443EP-T1_BE3
SI2307BDS-T1-BE3

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