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PMN25ENEX

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MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP

não conforme

PMN25ENEX Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.16197 $0.16197
500 $0.1603503 $80.17515
1000 $0.1587306 $158.7306
1500 $0.1571109 $235.66635
2000 $0.1554912 $310.9824
2500 $0.1538715 $384.67875
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.1A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 24mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 597 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-TSOP
pacote / caixa SC-74, SOT-457
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Número da peça relacionada

IRL640STRLPBF
IRL640STRLPBF
$0 $/pedaço
RS1L120GNTB
RS1L120GNTB
$0 $/pedaço
IRLR120NTRPBF
RM12N650TI
RM12N650TI
$0 $/pedaço
STF7N105K5
STF7N105K5
$0 $/pedaço
MSC080SMA120B
STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-1
$0 $/pedaço
NVF6P02T3G
NVF6P02T3G
$0 $/pedaço
SIHB23N60E-GE3
SIHB23N60E-GE3
$0 $/pedaço

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