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RM12N650TI

RM12N650TI

RM12N650TI

Rectron USA

MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220F

compliant

RM12N650TI Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 360mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 870 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 32.6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

STF7N105K5
STF7N105K5
$0 $/pedaço
MSC080SMA120B
STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-1
$0 $/pedaço
NVF6P02T3G
NVF6P02T3G
$0 $/pedaço
SIHB23N60E-GE3
SIHB23N60E-GE3
$0 $/pedaço
SI4408DY-T1-E3
SI4408DY-T1-E3
$0 $/pedaço
DMP3068L-7
DMP3068L-7
$0 $/pedaço
SI2343CDS-T1-BE3
TN0604N3-G-P005

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