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SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

SIHB23N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

compliant

SIHB23N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.11000 $4.11
500 $4.0689 $2034.45
1000 $4.0278 $4027.8
1500 $3.9867 $5980.05
2000 $3.9456 $7891.2
2500 $3.9045 $9761.25
14 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 158mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2418 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 227W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SI4408DY-T1-E3
SI4408DY-T1-E3
$0 $/pedaço
DMP3068L-7
DMP3068L-7
$0 $/pedaço
SI2343CDS-T1-BE3
TN0604N3-G-P005
NTBG160N120SC1
NTBG160N120SC1
$0 $/pedaço
PMPB16R5XNEX
PMPB16R5XNEX
$0 $/pedaço
ZXMN2AM832TA
RUM002N05T2L
RUM002N05T2L
$0 $/pedaço
SPB100N06S2-05
SUP90N06-6M0P-E3

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