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RUM002N05T2L

RUM002N05T2L

RUM002N05T2L

MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3

compliant

RUM002N05T2L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
8,000 $0.05760 -
16,000 $0.05120 -
24,000 $0.04800 -
56,000 $0.04480 -
192000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 50 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.2V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 25 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150mW (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor VMT3
pacote / caixa SOT-723
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Número da peça relacionada

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