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TK6Q65W,S1Q

TK6Q65W,S1Q

TK6Q65W,S1Q

MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK

compliant

TK6Q65W,S1Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
75 $1.02760 $77.07
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.8A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 180µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 390 pF @ 300 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-Pak
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

DMN3033LDM-7
ZXMP6A16KQTC
BUZ30A H3045A
FQB7P20TM
FQB7P20TM
$0 $/pedaço
IXFT50N60X
IXFT50N60X
$0 $/pedaço
ZXMN2B01FTA
ZXMN2B01FTA
$0 $/pedaço
DMN2025UFDF-7

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