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IXFT50N60X

IXFT50N60X

IXFT50N60X

IXYS

MOSFET N-CH 600V 50A TO268

compliant

IXFT50N60X Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
60 $8.20000 $492
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 73mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 116 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4660 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 660W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

ZXMN2B01FTA
ZXMN2B01FTA
$0 $/pedaço
DMN2025UFDF-7
SFT1345-H
SFT1345-H
$0 $/pedaço
2SK583
2SK583
$0 $/pedaço
VN4012L-G
VN4012L-G
$0 $/pedaço
SIA477EDJT-T1-GE3
IXFH96N20P
IXFH96N20P
$0 $/pedaço
SI7148DP-T1-E3
SI7148DP-T1-E3
$0 $/pedaço
EPC2069
EPC2069
$0 $/pedaço

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