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SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

compliant

SIA477EDJT-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.18772 -
6,000 $0.17628 -
15,000 $0.16484 -
30,000 $0.15683 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 13mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3050 pF @ 6 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 19W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6 Single
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

IXFH96N20P
IXFH96N20P
$0 $/pedaço
SI7148DP-T1-E3
SI7148DP-T1-E3
$0 $/pedaço
EPC2069
EPC2069
$0 $/pedaço
SSP2N60B
ZVN4210ASTZ
ZVN4210ASTZ
$0 $/pedaço
BUK9Y21-40E,115

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