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LND150N3-G-P003

LND150N3-G-P003

LND150N3-G-P003

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

compliant

LND150N3-G-P003 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30mA (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 0V
rds em (máx.) @ id, vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 740mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-92-3
pacote / caixa TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Número da peça relacionada

SI4686DY-T1-GE3
SIHF35N60EF-GE3
FDB075N15A
FDB075N15A
$0 $/pedaço
RQ6C050BCTCR
RQ6C050BCTCR
$0 $/pedaço
FDA24N50F
FDA24N50F
$0 $/pedaço
SIHG24N80AE-GE3
SIJH600E-T1-GE3
PSMN005-30K,518
SQS423EN-T1_BE3

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