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SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3

SIJH600E-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

compliant

SIJH600E-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.69000 $6.69
500 $6.6231 $3311.55
1000 $6.5562 $6556.2
1500 $6.4893 $9733.95
2000 $6.4224 $12844.8
2500 $6.3555 $15888.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 37A (Ta), 373A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.92Ohm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 212 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9950 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.3W (Ta), 333W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 8 x 8
pacote / caixa PowerPAK® 8 x 8
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Número da peça relacionada

PSMN005-30K,518
SQS423EN-T1_BE3
SIR418DP-T1-GE3
CPH3430-TL-E
CPH3430-TL-E
$0 $/pedaço
IRF9Z34NSTRRPBF
DMN10H700S-7
APT10M19BVRG
STFU16N65M2
STFU16N65M2
$0 $/pedaço

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