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SIHG24N80AE-GE3

SIHG24N80AE-GE3

SIHG24N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC

compliant

SIHG24N80AE-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.28000 $4.28
500 $4.2372 $2118.6
1000 $4.1944 $4194.4
1500 $4.1516 $6227.4
2000 $4.1088 $8217.6
2500 $4.066 $10165
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 184mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 89 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1836 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 208W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

SIJH600E-T1-GE3
PSMN005-30K,518
SQS423EN-T1_BE3
SIR418DP-T1-GE3
CPH3430-TL-E
CPH3430-TL-E
$0 $/pedaço
IRF9Z34NSTRRPBF
DMN10H700S-7
APT10M19BVRG
STFU16N65M2
STFU16N65M2
$0 $/pedaço

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