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IXTN8N150L

IXTN8N150L

IXTN8N150L

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B

não conforme

IXTN8N150L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $36.46800 $364.68
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 20V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.6Ohm @ 4A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id 8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 250 nC @ 15 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 545W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

IRF7855TRPBF
IXFA22N65X2
IXFA22N65X2
$0 $/pedaço
FDBL0200N100
FDBL0200N100
$0 $/pedaço
EPC2214
EPC2214
$0 $/pedaço
DMN6140L-13
DMN6140L-13
$0 $/pedaço
DMP3007LK3-13
IPW60R120P7XKSA1
SI3459BDV-T1-E3

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