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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | N-Channel |
tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 80 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 10A (Ta) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 5V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 20mOhm @ 6A, 5V |
vgs(th) (máx.) @ id | 2.5V @ 2mA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 2.2 nC @ 5 V |
vgs (máx.) | +6V, -4V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 238 pF @ 40 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | - |
temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | Die |
pacote / caixa | Die |
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