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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | N-Channel |
tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 900 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 46A (Tc) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 15V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 84mOhm @ 20A, 15V |
vgs(th) (máx.) @ id | 4.3V @ 5mA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 87 nC @ 15 V |
vgs (máx.) | +19V, -10V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 1770 pF @ 450 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 221W (Tc) |
temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo de montagem | Through Hole |
pacote de dispositivo do fornecedor | TO-247-3 |
pacote / caixa | TO-247-3 |
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