Welcome to ichome.com!
Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | P-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 60 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 2.9A (Tc) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 4.5V, 10V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 216mOhm @ 2.2A, 10V |
vgs(th) (máx.) @ id | 3V @ 250µA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 12 nC @ 10 V |
vgs (máx.) | ±20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 350 pF @ 30 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 3.3W (Tc) |
temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | 6-TSOP |
pacote / caixa | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.