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IXTH16N20D2

IXTH16N20D2

IXTH16N20D2

IXYS

MOSFET N-CH 200V 16A TO247

compliant

IXTH16N20D2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $12.36000 $12.36
10 $11.23500 $112.35
30 $10.39233 $311.7699
120 $9.54975 $1145.97
270 $8.70711 $2350.9197
510 $8.14537 $4154.1387
1,020 $7.49000 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 73mOhm @ 8A, 0V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 208 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5500 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 695W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IRFS9N60APBF
IRFS9N60APBF
$0 $/pedaço
NTE2933
NTE2933
$0 $/pedaço
NTMTS0D7N04CLTXG
NTMTS0D7N04CLTXG
$0 $/pedaço
R6006PND3FRATL
NTR1P02LT1G
NTR1P02LT1G
$0 $/pedaço
SIHH14N65E-T1-GE3
IPS65R1K0CEAKMA2
NTMS4N01R2G
NTMS4N01R2G
$0 $/pedaço
SIA477EDJ-T1-GE3

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