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IRFS9N60APBF

IRFS9N60APBF

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

não conforme

IRFS9N60APBF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.67000 $3.67
500 $3.6333 $1816.65
1000 $3.5966 $3596.6
1500 $3.5599 $5339.85
2000 $3.5232 $7046.4
2500 $3.4865 $8716.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 750mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 170W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NTE2933
NTE2933
$0 $/pedaço
NTMTS0D7N04CLTXG
NTMTS0D7N04CLTXG
$0 $/pedaço
R6006PND3FRATL
NTR1P02LT1G
NTR1P02LT1G
$0 $/pedaço
SIHH14N65E-T1-GE3
IPS65R1K0CEAKMA2
NTMS4N01R2G
NTMS4N01R2G
$0 $/pedaço
SIA477EDJ-T1-GE3
APT5010B2VRG

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