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SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

não conforme

SIA477EDJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 14mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 87 nC @ 8 V
vgs (máx.) -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2970 pF @ 6 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

APT5010B2VRG
BUK952R3-40E,127
BUK952R3-40E,127
$0 $/pedaço
SFW9530TM
STW26N65DM2
STW26N65DM2
$0 $/pedaço
HUF75321D3S
SPP04N60C3XKSA1
NVTFS4C02NTAG
NVTFS4C02NTAG
$0 $/pedaço

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