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IXFX26N100P

IXFX26N100P

IXFX26N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247-3

compliant

IXFX26N100P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $20.80800 $624.24
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 26A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 390mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 6.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 197 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11900 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 780W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PLUS247™-3
pacote / caixa TO-247-3 Variant
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Número da peça relacionada

SIHU3N50D-GE3
SIHU3N50D-GE3
$0 $/pedaço
GKI03039
GKI03039
$0 $/pedaço
RM4P20ES6
RM4P20ES6
$0 $/pedaço
SQS482EN-T1_GE3
SIHP5N50D-E3
SIHP5N50D-E3
$0 $/pedaço
IRL3803STRRPBF
SISS26LDN-T1-GE3
FDD2570
FDD2570
$0 $/pedaço
SQ4401EY-T1_BE3

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