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SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 3A TO251

compliant

SIHU3N50D-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.39324 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 175 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 69W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251AA
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

GKI03039
GKI03039
$0 $/pedaço
RM4P20ES6
RM4P20ES6
$0 $/pedaço
SQS482EN-T1_GE3
SIHP5N50D-E3
SIHP5N50D-E3
$0 $/pedaço
IRL3803STRRPBF
SISS26LDN-T1-GE3
FDD2570
FDD2570
$0 $/pedaço
SQ4401EY-T1_BE3
DMN24H3D5L-13

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