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SISS26LDN-T1-GE3

SISS26LDN-T1-GE3

SISS26LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK

compliant

SISS26LDN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.36000 $1.36
500 $1.3464 $673.2
1000 $1.3328 $1332.8
1500 $1.3192 $1978.8
2000 $1.3056 $2611.2
2500 $1.292 $3230
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1980 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

FDD2570
FDD2570
$0 $/pedaço
SQ4401EY-T1_BE3
DMN24H3D5L-13
DMT68M8LFV-13
APT34F60S/TR
PSMN017-30BL,118
FQD3N40TM
NDP4060
NDP4060
$0 $/pedaço

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