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IPP016N08NF2SAKMA1

IPP016N08NF2SAKMA1

IPP016N08NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

não conforme

IPP016N08NF2SAKMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.29000 $4.29
500 $4.2471 $2123.55
1000 $4.2042 $4204.2
1500 $4.1613 $6241.95
2000 $4.1184 $8236.8
2500 $4.0755 $10188.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Ta), 196A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 267µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 255 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 12000 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

APT34F60S/TR
PSMN017-30BL,118
FQD3N40TM
NDP4060
NDP4060
$0 $/pedaço
NTTS2P02R2G
NTTS2P02R2G
$0 $/pedaço
NTMFS4898NFT1G
NTMFS4898NFT1G
$0 $/pedaço
IXFB40N110Q3
IXFB40N110Q3
$0 $/pedaço
HUF75344S3ST
NVA4001NT1G
NVA4001NT1G
$0 $/pedaço

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