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IXFN40N90P

IXFN40N90P

IXFN40N90P

IXYS

MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B

não conforme

IXFN40N90P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $28.02800 $280.28
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 900 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 210mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 6.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 230 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 14000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 695W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

SPW12N50C3FKSA1
NDS355AN
NDS355AN
$0 $/pedaço
STD5P06VT4
STD5P06VT4
$0 $/pedaço
SISA72DN-T1-GE3
PMDPB760EN115
PMDPB760EN115
$0 $/pedaço
FDMS8460
FDMS8460
$0 $/pedaço
FQI5N15TU
SIS892ADN-T1-GE3

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