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SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8

compliant

SIS892ADN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.50840 -
6,000 $0.48453 -
15,000 $0.46748 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 28A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 33mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 19.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 550 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

DMP1009UFDF-13
IXTT10P60
IXTT10P60
$0 $/pedaço
BSS138LT3G
BSS138LT3G
$0 $/pedaço
TP0610K-T1-E3
TP0610K-T1-E3
$0 $/pedaço
IRF9Z24STRRPBF
IRF9Z24STRRPBF
$0 $/pedaço
FDC2612
FDC2612
$0 $/pedaço
STP24NM60N
STP24NM60N
$0 $/pedaço
NVMFS5C645NLAFT1G
NVMFS5C645NLAFT1G
$0 $/pedaço
SIA811ADJ-T1-GE3

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