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PJD85N03-AU_L2_000A1

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PJD85N03-AU_L2_000A1

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJD85N03-AU_L2_000A1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.10000 $1.1
500 $1.089 $544.5
1000 $1.078 $1078
1500 $1.067 $1600.5
2000 $1.056 $2112
2500 $1.045 $2612.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Ta), 85A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2436 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 58W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

STD5P06VT4
STD5P06VT4
$0 $/pedaço
SISA72DN-T1-GE3
PMDPB760EN115
PMDPB760EN115
$0 $/pedaço
FDMS8460
FDMS8460
$0 $/pedaço
FQI5N15TU
SIS892ADN-T1-GE3
DMP1009UFDF-13
IXTT10P60
IXTT10P60
$0 $/pedaço
BSS138LT3G
BSS138LT3G
$0 $/pedaço

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