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IXFH320N10T2

IXFH320N10T2

IXFH320N10T2

IXYS

MOSFET N-CH 100V 320A TO247AD

não conforme

IXFH320N10T2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $12.25000 $12.25
30 $10.04500 $301.35
120 $9.06500 $1087.8
510 $7.59500 $3873.45
1,020 $6.86000 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 320A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 430 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 26000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1000W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

ZXMP10A17E6QTA
NTMJS2D5N06CLTWG
NTMJS2D5N06CLTWG
$0 $/pedaço
DMN2300U-7
DMN2300U-7
$0 $/pedaço
STD3NK80ZT4
STD3NK80ZT4
$0 $/pedaço
BUK9M85-60EX
BUK9M85-60EX
$0 $/pedaço
SIR880BDP-T1-RE3
SQS141ELNW-T1_GE3
SIJ478DP-T1-GE3
SISH410DN-T1-GE3
STQ1NC45R-AP
STQ1NC45R-AP
$0 $/pedaço

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