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IRF7663

IRF7663

IRF7663

MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8

IRF7663 Ficha de dados

não conforme

IRF7663 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 20mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2520 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.8W (Ta)
temperatura de operação -
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor Micro8™
pacote / caixa 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
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Número da peça relacionada

NTB5605T4G
NTB5605T4G
$0 $/pedaço
IRFR9024NTRR
SI2335DS-T1-GE3
MMFTN2362
MMFTN2362
$0 $/pedaço
BMS3003-1E
BMS3003-1E
$0 $/pedaço
FDC637AN-NB5E023A
FDC637AN-NB5E023A
$0 $/pedaço
BSN304,126
BSN304,126
$0 $/pedaço
IRFR210TRR
IRFR210TRR
$0 $/pedaço

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