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IRLR3802TRPBF-INF

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IRLR3802 - HEXFET POWER MOSFET

não conforme

IRLR3802TRPBF-INF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 84A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.9V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 41 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2490 pF @ 6 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 88W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D-Pak
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

FDC637AN-NB5E023A
FDC637AN-NB5E023A
$0 $/pedaço
BSN304,126
BSN304,126
$0 $/pedaço
IRFR210TRR
IRFR210TRR
$0 $/pedaço
ZVNL110ASTOA
IPL65R190E6AUMA1
SPD18P06PG
PMPB10UPX
PMPB10UPX
$0 $/pedaço
BUK7Y43-60E115
BUK7Y43-60E115
$0 $/pedaço
IXFE44N50QD3
IXFE44N50QD3
$0 $/pedaço
IRFD014
IRFD014
$0 $/pedaço

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