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NTB5605T4G

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onsemi

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

compliant

NTB5605T4G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 140mOhm @ 8.5A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1190 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 88W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFR9024NTRR
SI2335DS-T1-GE3
MMFTN2362
MMFTN2362
$0 $/pedaço
BMS3003-1E
BMS3003-1E
$0 $/pedaço
FDC637AN-NB5E023A
FDC637AN-NB5E023A
$0 $/pedaço
BSN304,126
BSN304,126
$0 $/pedaço
IRFR210TRR
IRFR210TRR
$0 $/pedaço
ZVNL110ASTOA

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