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IPU80R1K4CEBKMA1

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IPU80R1K4CEBKMA1

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3

não conforme

IPU80R1K4CEBKMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.92000 $0.92
10 $0.83200 $8.32
100 $0.65990 $65.99
500 $0.55386 $276.93
1,000 $0.44785 -
20500 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.9V @ 240µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 570 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 63W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO251-3
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

IXFX180N10
IXFX180N10
$0 $/pedaço
DMP2035UQ-7
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$0 $/pedaço
IPS80R600P7AKMA1
IPS135N03LG
APT24M80S
APT24M80S
$0 $/pedaço
NTR1P02LT3G
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$0 $/pedaço
PMPB20XPEZ
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$0 $/pedaço
FCB099N65S3
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IXTX17N120L
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