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IXTX17N120L

IXTX17N120L

IXTX17N120L

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247-3

não conforme

IXTX17N120L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $28.18600 $845.58
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 20V
rds em (máx.) @ id, vgs 900mOhm @ 8.5A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 155 nC @ 15 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 700W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PLUS247™-3
pacote / caixa TO-247-3 Variant
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Número da peça relacionada

SISS70DN-T1-GE3
PSMN1R5-30YL,115
DMG1013UW-7
DMG1013UW-7
$0 $/pedaço
SI2365EDS-T1-GE3
FDPF39N20
FDPF39N20
$0 $/pedaço
SPS03N60C3AKMA1
DMP32D9UFO-7B
IXTA4N80P
IXTA4N80P
$0 $/pedaço

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