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PJP10NA60_T0_00001

PJP10NA60_T0_00001

PJP10NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJP10NA60_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.69000 $1.69
500 $1.6731 $836.55
1000 $1.6562 $1656.2
1500 $1.6393 $2458.95
2000 $1.6224 $3244.8
2500 $1.6055 $4013.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 900mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1192 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 156W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SPS03N60C3AKMA1
DMP32D9UFO-7B
IXTA4N80P
IXTA4N80P
$0 $/pedaço
STL3N10F7
STL3N10F7
$0 $/pedaço
SPW55N80C3FKSA1
SQJ411EP-T1_GE3
PMV450ENEAR
PMV450ENEAR
$0 $/pedaço
PMXB120EPEZ
PMXB120EPEZ
$0 $/pedaço

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