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IXFX180N10

IXFX180N10

IXFX180N10

IXYS

MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247

não conforme

IXFX180N10 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $14.65200 $439.56
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 390 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10900 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 560W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PLUS247™-3
pacote / caixa TO-247-3 Variant
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Número da peça relacionada

DMP2035UQ-7
DMP2035UQ-7
$0 $/pedaço
IPS80R600P7AKMA1
IPS135N03LG
APT24M80S
APT24M80S
$0 $/pedaço
NTR1P02LT3G
NTR1P02LT3G
$0 $/pedaço
PMPB20XPEZ
PMPB20XPEZ
$0 $/pedaço
FCB099N65S3
FCB099N65S3
$0 $/pedaço
IXTX17N120L
IXTX17N120L
$0 $/pedaço
SISS70DN-T1-GE3

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