Welcome to ichome.com!

logo
Lar

IPP65R600C6

IPP65R600C6

IPP65R600C6

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

IPP65R600C6 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.60000 $0.6
500 $0.594 $297
1000 $0.588 $588
1500 $0.582 $873
2000 $0.576 $1152
2500 $0.57 $1425
1791 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 210µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 440 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 63W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3-1
pacote / caixa TO-220-3
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

AUIRFP2907
IPT65R195G7XTMA1
SISH617DN-T1-GE3
NTHS5443T1
NTHS5443T1
$0 $/pedaço
IPT60R050G7XTMA1
HUFA76407D3S
SUD80460E-GE3
SUD80460E-GE3
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.