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AOI4S60

AOI4S60

AOI4S60

MOSFET N-CH 600V 4A TO251A

SOT-23

AOI4S60 Ficha de dados

não conforme

AOI4S60 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,500 $0.54450 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 900mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 263 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 56.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251A
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

PMT200EPEX
PMT200EPEX
$0 $/pedaço
IXFA80N25X3-TRL
IXFA80N25X3-TRL
$0 $/pedaço
SI4634DY-T1-GE3
SI4848DY-T1-E3
SI4848DY-T1-E3
$0 $/pedaço
RZF020P01TL
RZF020P01TL
$0 $/pedaço
IPI100N06S3L04XK
IPD60R600P7ATMA1
FDMC86570L
FDMC86570L
$0 $/pedaço
STP130N8F7
STP130N8F7
$0 $/pedaço

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