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IPD60R600P7ATMA1

IPD60R600P7ATMA1

IPD60R600P7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

SOT-23

não conforme

IPD60R600P7ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.64512 -
5,000 $0.61640 -
12,500 $0.59589 -
4995 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 80µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 363 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 30W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

FDMC86570L
FDMC86570L
$0 $/pedaço
STP130N8F7
STP130N8F7
$0 $/pedaço
SI7230DN-T1-E3
SI7230DN-T1-E3
$0 $/pedaço
NTD6N40
NTD6N40
$0 $/pedaço
IRL540NPBF
BUK9M19-60EX
BUK9M19-60EX
$0 $/pedaço
SI7623DN-T1-GE3

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