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BSP171PH6327XTSA1

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MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

não conforme

BSP171PH6327XTSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.41438 -
2,000 $0.37932 -
5,000 $0.35594 -
10,000 $0.34425 -
25,000 $0.33788 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 300mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 460µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 460 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.8W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-SOT223-4
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

NVTFS005N04CTAG
NVTFS005N04CTAG
$0 $/pedaço
R5007ANX
R5007ANX
$0 $/pedaço
SI2301CDS-T1-BE3
BSO203PH
BSO203PH
$0 $/pedaço
SI7738DP-T1-E3
SI7738DP-T1-E3
$0 $/pedaço
DMN3025LFV-13
BUK7M5R0-40HX
BUK7M5R0-40HX
$0 $/pedaço
IPA60R360P7XKSA1

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