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SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK

SOT-23

não conforme

SISH617DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.41189 -
6,000 $0.38516 -
15,000 $0.37179 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 13.9A (Ta), 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8SH
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8SH
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Número da peça relacionada

NTHS5443T1
NTHS5443T1
$0 $/pedaço
IPT60R050G7XTMA1
HUFA76407D3S
SUD80460E-GE3
SUD80460E-GE3
$0 $/pedaço
PMT200EPEX
PMT200EPEX
$0 $/pedaço
IXFA80N25X3-TRL
IXFA80N25X3-TRL
$0 $/pedaço
SI4634DY-T1-GE3
SI4848DY-T1-E3
SI4848DY-T1-E3
$0 $/pedaço

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